| CAS 마이크로전자연구소, 초고속 ADC/DAC칩 개발 | ||
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 최근 중국과학원 마이크로전자연구소 마이크로웨이브 디바이스와 집적회로연구실 초고속집적회로연구팀이 초고속 ADC/DAC칩 개발을 대폭 촉진하고 8GS/s 4bit ADC 및 10GS/s 8bit DAC를 개발하는 데에 성공했다. ADC칩은 보간법 균형의 Flash구조를 활용하고 약 1,250개 트랜지스터를 통합한다. 테스트결과에 의하면, 이 칩은 8GHz 클럭 주파수 조건에서 안정적으로 작동하고, 최고 샘플링 주파수가 9GHz에 도달할 수 있다. 초고속DAC칩은 R-2R기반 전류스위칭구조를 활용하고 자기시험 10Gbps 비트스트림 생성회로를 통합하며, 1,045개 트랜지스터를 포함한다. 테스트결과에 으하면, 이 칩은 10GHz 클럭 주파수 조건하에 정상적으로 작동할 수 있다. 초고속 ADC/DAC칩은 광통신 및 무선 광대역통신 분야에 응용전망이 넓다. 이번 개발의 성공으로 인해 중국 단일 고속 ADC 및 DAC회로의 최고 샘플링 주파수를 대폭 높이고 향후 더욱 높은 성능의 ADC/DAC회로 개발을 위한 기반을 마련하기도 했다. |
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