| 중국과학원, 그래핀 양자점 분야의 새로운 진전 | ||
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□ 절대 양자수율이 83%에 달한 그래핀 양자점 획득(3.22)
○ 중국과학원 상하이 마이크로시스템 및 정보기술연구소 딩구치앙(丁古巧) 연구진은 실온에서 그래핀 양자점의 고체 인광 메커니즘과 형광 양자수율 향상 메커니즘을 규명
- 현재 그래핀 양자점 (graphene quantum dot)은 독특한 sp2-sp3 하이브리드 탄소나노 구조로 우수한 광학적, 전기적, 자기적 특성을 보유
- 연구진은 그래프 컨볼루션 네트워크 분석을 통해 이상적인 모델에서 그래핀 양자점의 구조적 공극률·가변성을 평가하고 그 구조의 불규칙성과 인광수명 사이의 선형 관계 발견
- 그래핀 양자점 제조 과정에서 형광 양자수율에 영향을 미치는 구조적 요인, 온도 요인 및 농도 요인 등 3가지 결정적 요인 규명
- 이를 바탕으로 연구진은 절대 양자수율이 83%인 그래핀 양자점 확득
 <참고자료>
石墨烯量子点领域研究获系列进展
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