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KAIST开发出热处理工程稳定的新一代半导体材料
  • 上传日期2022.12.13
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< 图片来源:韩联社 >
 
12月12日,韩国科学技术院(KAIST)表示,电子电气工程学院全相勋(音)教授研究组开发出了在半导体三维(D)集成工程中,在热处理方面也稳定的铁电材料。该研究结果于本月5日在半导体元件、电路领域权威学会"国际电气电子工程学会(IEEE)国际电子元件学会"上发布。
 
研究组在半导体3D集成工程的热处理过程中,开发出了维持非挥发性、具有优秀耐用性的二氧化铪铁电材料、工程技术。
 
该材料是以互补金属氧化膜半导体(CMOS)工艺兼容性、动作速度、耐用性突出的物理特点为基础,作为新一代半导体核心材料被研究的物质。
 
研究组大幅改善了铁电材料的非挥发性、功能性、热稳定性。研究组确认,在加热750度及30分钟左右后,也发现了优异的铁电。
 
全相勋教授期待:"此次研究成果将成为开发以处于停滞不前状态的铁电材料为基础的3D存储器及电路集成技术的突破口,今后将在开发高集成度、高效率系统方面发挥核心作用"。
 
 
信息来源: 
发布机构: 韩国网络媒体->韩联社
发布时间:2022.12.12