| 韩国存储器相关专利申请增加，"储存级存储器"技术开发工作积极进行 | ||
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 韩国专利厅厅长朴元周(音)8日表示，最近5年间(2014~2018年)与存储器相关的专利申请平均每年达46件，与之前5年间(2009~2013年)的年均11件相比增加了4倍以上。能够更快更有效地处理数据流量的“储存级存储器( Storage Class Memory )”相关技术开发工作正在积极进行。 储存级存储器像快闪存储器一样提供非挥发性属性，同时像DRAM( Dynamic Random Access Memory )一样以字节为单位支持随机访问。 数据处理速度与DRAM相似，具有即使中断电源供应，数据也不会消失的优秀特性，系统速度也能迅速改善10倍以上。 从申请专利的技术来看，首先将储存级存储器用作周期记忆装置(58%)最多，其次是使用辅助记忆装置(19%)，再次是因周期记忆装置和辅助记忆装置的处理速度差异，用于改善瓶颈现象的缓存内存(17%)等。 主要申申请者为三星电子(29%)，SK海力士(19%)，英特尔(16%)，美光(10%)等。 信息来源： https://www.etnews.com/news/article.html?id=20200608000185 发布机构: 韩国网络媒体 发布时间：2020.06.08 信息来源 : https://www.etnews.com/news/article.html?id=20200608000185 |
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