| 중국과학원, 반도체 부품 분야 콜렉티브 수송효과 규명 | ||
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□ 저온에서 반도체 부품의 비선형 전류(I)-전압(V) 특성의 물리적 메커니즘 제시(5.11)
○ 중국과학원 마이크로전자연구소 산하 마이크로전자 부품 및 집적기술 중점실험실의 류밍(刘明) 연구팀은 반도체 부품 대전체(載流子)의 ‘콜렉티브 수송(集体输运·collective transport)효과’를 규명
- 외부 전기장으로 인한 불균일한 분포 침투 경로의 성장이 콜렉티브 수송 효과를 초래하여 비선형 전류(I)-전압(V) 특성을 보유
- 동 연구팀은 폴리머 장치에서 반도체 부품의 퍼콜레이션 임계치(渗流阈值·percolation threshold) 제어를 실현
- 이를 기반으로 반도체 부품 비선형 운송이 콜렉티브 수송 효과에서 유래한다는 사실을 입증
 <참고자료>
半导体器件物理领域研究获进展
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