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중국, 6인치급 산화갈륨(Ga₂O₃) 단결정 합성 성공
  • 등록일2023.03.17
  • 조회수299
□ 6인치 산화갈륨(Ga₂O₃) 단결정 제조에 적합한 핫존(hotzone) 구조 구축(2.28)
중국전자과학기술집단유한공사(CETC) 제46 연구소 연구팀은 중국 최초로 차세대 핵심 반도체 소재인 6인치급 산화갈륨 개발 성공
- 세계 주요국들은 실리콘(Si) 대비 전력 효율과 내구성이 뛰어난 실리콘카바이드(SiC)·질화갈륨(GaN)·산화갈륨 등 차세대 전력반도체 개발에 집중
- 연구팀은 6인치급 산화갈륨 단결정 제조에 적합한 핫존 구조를 성공적으로 구축하여 6인치 산화갈륨 전력반도체의 국산화 실현
- 이를 통해 신에너지 자동차, 궤도교통, 재생에너지 등의 분야에서 에너지 소비를 효과적으로 절감하고, 향후 마이크로전자 및 광전자 분야에서 대규모로 응용할 전망
 
 
<참고자료>
国际最高水平!我国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备,第四代半导体呼啸而来