| 중국과학원, 상변화메모리 개발에 진전 | ||
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□ 안티몬 원소기반 상변화메모리 속도가 빨라 일반 메모리와 캐시 대체 가능(1.6)
○ 중국과학원 상하이 MS 정보기술연구소 쑹즈탕(宋志棠)과 주민(朱敏) 연구팀은 원소 안티몬의 규모에 따라 상변화메모리 속도가 빨라지는 것을 입증
- 차세대 메모리 주자인 상변화메모리(PCM)* 속도는 메모리의 열안정이 나쁠수록 결정화 속도가 빨라지며, 그중 원소 안티몬(Sb) 기반시 가장 빠른 속도를 보임
* 플래시 메모리 칩처럼 전원이 꺼지더라도 저장한 정보를 살릴 수 있으며 플래시 메모리와 램의 빠른 동작특성 등의 장점을 모두 갖춘 메모리 반도체
- 안티몬 상변화메모리 속도를 비교해 본 결과 200nm, 120nm, 60nm 등 크기가 작을수록 속도가 빨라지는 것을 확인
* 200nm 안티몬 상변화 메모리의 가장 빠른 쓰기 속도는 359ps인 반면, 크기가 60nm 안티몬 상변화 메모리의 쓰기 속도는 ~242ps로 기존 Ge2Sb2Te5보다 거의 100배(20ns) 수준임
- 이는 기존 Sb-Te, Ge-Te 및 Ge-Sb-Te 기반 상변화 메모리 속도보다 훨씬 빠르며 가장 높은 속도는 ~242ps까지 도달하여 일반 메모리와 캐시를 대체할 가능성이 있음을 입증
 <참고자료>
上海微系统所在具有极限操作速度的相变存储器研制方面取得新进展
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